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Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung

Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Ref. fabricante: MZ-V9S2T0BW  |  Cód. artículo: HD34651194

Samsung MZ-V9S2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

  • 2 TB M.2 PCI Express 4.0
  • Velocidad de lectura: 7250 MB/s 1000000 IOPS
  • Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
  • V-NAND TLC NVMe 2.0
  • Encriptación de hardware 256-bit AES
  • Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
  • Componente para: PC
250,20€

IVA 21% incluido

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Especificaciones

Características

SDD, capacidad
2 TB
Factor de forma de disco SSD
M.2
Interfaz
PCI Express 4.0
NVMe
Si
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Componente para
PC
Encriptación de hardware
Si
Versión NVMe
2.0
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura
7250 MB/s
Velocidad de escritura
6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
1000000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
1350000 IOPS
Función DevSleep
Si
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Soporte TRIM
Si
Tiempo medio entre fallos
1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación
3,3 V
Consumo de energía (lectura)
4,6 W
Consumo de energía (escritura)
4,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura)
4,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
4,2 W
Consumo de energía (espera)
0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
5 mW

Peso y dimensiones

Ancho
80,2 mm
Profundidad
2,38 mm
Altura
80,2 mm
Peso
9 g

Empaquetado

Ancho del paquete
139 mm
Profundidad del paquete
102 mm
Altura del paquete
24 mm
Peso del paquete
70 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento
1500 G

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