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Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
Ref. fabricante: MZ-VAP1T0BW | Cód. artículo: HD34651215
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos
- 1 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s 1850000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe 2.0
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
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Especificaciones
Características
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Interfaz
- PCI Express 5.0
- NVMe
- Si
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- Componente para
- PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware
- Si
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura
- 14700 MB/s
- Velocidad de escritura
- 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express
- x4
- Función DevSleep
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de energía (lectura)
- 7,6 W
- Consumo de energía (escritura)
- 7,2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura)
- 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura)
- 7,2 W
- Consumo de energía (espera)
- 0,004 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 3,3 mW
Peso y dimensiones
- Ancho
- 80,2 mm
- Profundidad
- 2,38 mm
- Altura
- 80,2 mm
- Peso
- 9 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje
- Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
Otras características
- Periodo de garantía
- 5 año(s)
